casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / BSM50GB170DN2HOSA1
Número de pieza del fabricante | BSM50GB170DN2HOSA1 |
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Número de parte futuro | FT-BSM50GB170DN2HOSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BSM50GB170DN2HOSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo IGBT | - |
Configuración | Half Bridge |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 1700V |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 72A |
Potencia - max | 500W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 50A |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | - |
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce | 8nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | Module |
Paquete del dispositivo del proveedor | Module |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM50GB170DN2HOSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BSM50GB170DN2HOSA1-FT |
APTGT50DA170TG
Microsemi Corporation
APTGT50DH120T3G
Microsemi Corporation
APTGT50DH60TG
Microsemi Corporation
APTGT50DSK120T3G
Microsemi Corporation
APTGT50DSK60T3G
Microsemi Corporation
APTGT50DU170TG
Microsemi Corporation
APTGT50H120TG
Microsemi Corporation
APTGT50H60T2G
Microsemi Corporation
APTGT50SK120D1G
Microsemi Corporation
APTGT50SK170D1G
Microsemi Corporation
XCV300E-6FG256C
Xilinx Inc.
XC7S6-1FTGB196I
Xilinx Inc.
AFS250-1FG256
Microsemi Corporation
A3PE1500-2PQG208
Microsemi Corporation
EP3C25U256C6
Intel
5AGXBA7D4F27C5N
Intel
5SGXEA7K2F35I2L
Intel
AX1000-2FGG676
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000UHC-4FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX30CF19C6N
Intel