casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / BSM50GB120DN2HOSA1
Número de pieza del fabricante | BSM50GB120DN2HOSA1 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-BSM50GB120DN2HOSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BSM50GB120DN2HOSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo IGBT | - |
Configuración | Half Bridge |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 1200V |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 78A |
Potencia - max | 400W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 50A |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 1mA |
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce | 3.3nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | Module |
Paquete del dispositivo del proveedor | Module |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM50GB120DN2HOSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BSM50GB120DN2HOSA1-FT |
APTGT50DA170T1G
Microsemi Corporation
APTGT50DA170TG
Microsemi Corporation
APTGT50DH120T3G
Microsemi Corporation
APTGT50DH60TG
Microsemi Corporation
APTGT50DSK120T3G
Microsemi Corporation
APTGT50DSK60T3G
Microsemi Corporation
APTGT50DU170TG
Microsemi Corporation
APTGT50H120TG
Microsemi Corporation
APTGT50H60T2G
Microsemi Corporation
APTGT50SK120D1G
Microsemi Corporation
XCS20XL-4TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-1200ZE-3TG100CR1
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX100T-3FGG676C
Xilinx Inc.
XCS30XL-4VQ100I
Xilinx Inc.
XC2S300E-6PQG208C
Xilinx Inc.
APA1000-FG896I
Microsemi Corporation
EP2S30F484I4N
Intel
5SGXEB5R2F40C2L
Intel
5CEFA9F23I7N
Intel
5AGXBB7D4F35C5N
Intel