casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / BSM35GD120DN2E3224BOSA1
Número de pieza del fabricante | BSM35GD120DN2E3224BOSA1 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-BSM35GD120DN2E3224BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BSM35GD120DN2E3224BOSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo IGBT | - |
Configuración | Three Phase Inverter |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 1200V |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 50A |
Potencia - max | 280W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.2V @ 15V, 35A |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 1mA |
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce | 2nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | Module |
Paquete del dispositivo del proveedor | Module |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM35GD120DN2E3224BOSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BSM35GD120DN2E3224BOSA1-FT |
APTGT50A1202G
Microsemi Corporation
APTGT50A120D1G
Microsemi Corporation
APTGT50A120TG
Microsemi Corporation
APTGT50A170D1G
Microsemi Corporation
APTGT50A60T1G
Microsemi Corporation
APTGT50DA120D1G
Microsemi Corporation
APTGT50DA170D1G
Microsemi Corporation
APTGT50DA170T1G
Microsemi Corporation
APTGT50DA170TG
Microsemi Corporation
APTGT50DH120T3G
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-3T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P250L-VQG100
Microsemi Corporation
EP3C120F484I7N
Intel
5SEE9F45I2N
Intel
5SGXMA5N2F45I2LN
Intel
LFE3-150EA-6LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX027E1F29E1HG
Intel
EP2C20Q240C8N
Intel
EP20K100EQI208-3
Intel
EPF10K30AQI208-3
Intel