casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / BSM35GB120DN2HOSA1
Número de pieza del fabricante | BSM35GB120DN2HOSA1 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-BSM35GB120DN2HOSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BSM35GB120DN2HOSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo IGBT | - |
Configuración | Half Bridge |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 1200V |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 50A |
Potencia - max | 280W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.2V @ 15V, 35A |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 1mA |
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce | 2nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | Module |
Paquete del dispositivo del proveedor | Module |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM35GB120DN2HOSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BSM35GB120DN2HOSA1-FT |
APTGT400SK120D3G
Microsemi Corporation
APTGT400SK60D3G
Microsemi Corporation
APTGT450DU60G
Microsemi Corporation
APTGT50A1202G
Microsemi Corporation
APTGT50A120D1G
Microsemi Corporation
APTGT50A120TG
Microsemi Corporation
APTGT50A170D1G
Microsemi Corporation
APTGT50A60T1G
Microsemi Corporation
APTGT50DA120D1G
Microsemi Corporation
APTGT50DA170D1G
Microsemi Corporation
A54SX16A-1TQG144I
Microsemi Corporation
XC6SLX100T-N3FG900C
Xilinx Inc.
XC3S1400AN-5FGG484C
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
AFS250-2FG256
Microsemi Corporation
A54SX08-2VQG100I
Microsemi Corporation
EP20K1000CF672C9ES
Intel
5SEEBF45I2L
Intel
5SGXEA7K3F35C2L
Intel
EP1S40F1020C7
Intel