casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / BSM30GD60DLCBOSA1
Número de pieza del fabricante | BSM30GD60DLCBOSA1 |
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Número de parte futuro | FT-BSM30GD60DLCBOSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BSM30GD60DLCBOSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo IGBT | - |
Configuración | Three Phase Inverter |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 600V |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 40A |
Potencia - max | 135W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.45V @ 15V, 30A |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 500µA |
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce | 1.3nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | Module |
Paquete del dispositivo del proveedor | Module |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM30GD60DLCBOSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BSM30GD60DLCBOSA1-FT |
APTGT35H120T1G
Microsemi Corporation
APTGT35SK120D1G
Microsemi Corporation
APTGT400DA120D3G
Microsemi Corporation
APTGT400SK120D3G
Microsemi Corporation
APTGT400SK60D3G
Microsemi Corporation
APTGT450DU60G
Microsemi Corporation
APTGT50A1202G
Microsemi Corporation
APTGT50A120D1G
Microsemi Corporation
APTGT50A120TG
Microsemi Corporation
APTGT50A170D1G
Microsemi Corporation
A1010B-VQG80C
Microsemi Corporation
XC2S50E-6FTG256C
Xilinx Inc.
AX250-FG484M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX022E3F27E2LG
Intel
10M50DAF672C8G
Intel
5SGXMB6R1F43C2LN
Intel
XC7K70T-1FB484C
Xilinx Inc.
EP2C70F896C6N
Intel
EP1C4F400C8
Intel