casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / BSM25GD120DN2E3224BOSA1
Número de pieza del fabricante | BSM25GD120DN2E3224BOSA1 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-BSM25GD120DN2E3224BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BSM25GD120DN2E3224BOSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo IGBT | - |
Configuración | Three Phase Inverter |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 1200V |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 35A |
Potencia - max | 200W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 25A |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 800µA |
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce | 1.65nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | Module |
Paquete del dispositivo del proveedor | Module |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM25GD120DN2E3224BOSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BSM25GD120DN2E3224BOSA1-FT |
APTGT30DA170T1G
Microsemi Corporation
APTGT30DDA60T3G
Microsemi Corporation
APTGT30DSK60T3G
Microsemi Corporation
APTGT30H60T3G
Microsemi Corporation
APTGT30SK170D1G
Microsemi Corporation
APTGT30SK170T1G
Microsemi Corporation
APTGT30TL60T3G
Microsemi Corporation
APTGT35A120D1G
Microsemi Corporation
APTGT35DA120D1G
Microsemi Corporation
APTGT35H120T1G
Microsemi Corporation
LFEC3E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A75T-L2FGG676E
Xilinx Inc.
5CGXFC9D7F27C8N
Intel
5SGXMA7N3F45C3
Intel
5SGXMA9K2H40I2LN
Intel
5SGXEA4H3F35C3N
Intel
LFXP15E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC5C6U19C7N
Intel
EP1C20F400C6N
Intel
EPF10K50SBC356-3
Intel