casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / BSM25GD120DN2E3224BOSA1
Número de pieza del fabricante | BSM25GD120DN2E3224BOSA1 |
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Número de parte futuro | FT-BSM25GD120DN2E3224BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BSM25GD120DN2E3224BOSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo IGBT | - |
Configuración | Three Phase Inverter |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 1200V |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 35A |
Potencia - max | 200W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 25A |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 800µA |
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce | 1.65nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | Module |
Paquete del dispositivo del proveedor | Module |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM25GD120DN2E3224BOSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BSM25GD120DN2E3224BOSA1-FT |
APTGT30DA170T1G
Microsemi Corporation
APTGT30DDA60T3G
Microsemi Corporation
APTGT30DSK60T3G
Microsemi Corporation
APTGT30H60T3G
Microsemi Corporation
APTGT30SK170D1G
Microsemi Corporation
APTGT30SK170T1G
Microsemi Corporation
APTGT30TL60T3G
Microsemi Corporation
APTGT35A120D1G
Microsemi Corporation
APTGT35DA120D1G
Microsemi Corporation
APTGT35H120T1G
Microsemi Corporation
XC4005E-3PQ100I
Xilinx Inc.
XC2V250-6FGG456C
Xilinx Inc.
AGLN250V2-ZCSG81
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-PQG208I
Microsemi Corporation
10AX016C4U19E3LG
Intel
10M50DAF484I6G
Intel
EP4CE22F17C8
Intel
LCMXO640E-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190EF29I5G
Intel
EP4SGX110FF35C4
Intel