casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / BSM25GD120DN2BOSA1
Número de pieza del fabricante | BSM25GD120DN2BOSA1 |
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Número de parte futuro | FT-BSM25GD120DN2BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BSM25GD120DN2BOSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo IGBT | - |
Configuración | Full Bridge |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 1200V |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 35A |
Potencia - max | 200W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 25A |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 800µA |
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce | 1.65nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | Module |
Paquete del dispositivo del proveedor | Module |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM25GD120DN2BOSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BSM25GD120DN2BOSA1-FT |
APTGT30DA170D1G
Microsemi Corporation
APTGT30DA170T1G
Microsemi Corporation
APTGT30DDA60T3G
Microsemi Corporation
APTGT30DSK60T3G
Microsemi Corporation
APTGT30H60T3G
Microsemi Corporation
APTGT30SK170D1G
Microsemi Corporation
APTGT30SK170T1G
Microsemi Corporation
APTGT30TL60T3G
Microsemi Corporation
APTGT35A120D1G
Microsemi Corporation
APTGT35DA120D1G
Microsemi Corporation
XC3S500E-5FTG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX100T-N3FG484I
Xilinx Inc.
5SGSMD5K3F40I3LN
Intel
5SGSED6N3F45C2L
Intel
5SGXMA4H3F35I4
Intel
XC5VLX85T-2FFG1136I
Xilinx Inc.
A42MX24-PQG160
Microsemi Corporation
LFE2-50E-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX65DF29C4N
Intel
EP1S40F780I6
Intel