casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / BSM200GA120DN2HOSA1
Número de pieza del fabricante | BSM200GA120DN2HOSA1 |
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Número de parte futuro | FT-BSM200GA120DN2HOSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BSM200GA120DN2HOSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo IGBT | - |
Configuración | Single Switch |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 1200V |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 300A |
Potencia - max | 1550W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 200A |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 4mA |
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce | 13nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | Module |
Paquete del dispositivo del proveedor | Module |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM200GA120DN2HOSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BSM200GA120DN2HOSA1-FT |
APTGT25H120T1G
Microsemi Corporation
APTGT25SK120D1G
Microsemi Corporation
APTGT300DA120D3G
Microsemi Corporation
APTGT300SK120D3G
Microsemi Corporation
APTGT300SK170D3G
Microsemi Corporation
APTGT30A170D1G
Microsemi Corporation
APTGT30A60T1G
Microsemi Corporation
APTGT30DA170D1G
Microsemi Corporation
APTGT30DA170T1G
Microsemi Corporation
APTGT30DDA60T3G
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A3P125-TQG144
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EPF10K20RC208-4N
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