casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / BSM150GB170DN2HOSA1
Número de pieza del fabricante | BSM150GB170DN2HOSA1 |
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Número de parte futuro | FT-BSM150GB170DN2HOSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BSM150GB170DN2HOSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo IGBT | - |
Configuración | Half Bridge |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 1700V |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 220A |
Potencia - max | 1250W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 150A |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 1.5mA |
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce | 20nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | Module |
Paquete del dispositivo del proveedor | Module |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM150GB170DN2HOSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BSM150GB170DN2HOSA1-FT |
APTGT200SK170D3G
Microsemi Corporation
APTGT200SK60TG
Microsemi Corporation
APTGT20A60T1G
Microsemi Corporation
APTGT20DDA60T3G
Microsemi Corporation
APTGT20DSK60T3G
Microsemi Corporation
APTGT20H60T3G
Microsemi Corporation
APTGT20X60T3G
Microsemi Corporation
APTGT25A120D1G
Microsemi Corporation
APTGT25A120T1G
Microsemi Corporation
APTGT25DA120D1G
Microsemi Corporation
XC4010XL-09TQ144C
Xilinx Inc.
A1010B-PQ100C
Microsemi Corporation
XC6SLX150-N3CSG484I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
EP2A15F672C7AA
Intel
EPF6010AFC256-2
Intel
EP4CE15E22I8L
Intel
EP3SL110F1152I3
Intel
LCMXO2-256ZE-3UMG64I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-5M132C
Lattice Semiconductor Corporation