casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / BSM10GP120BOSA1
Número de pieza del fabricante | BSM10GP120BOSA1 |
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Número de parte futuro | FT-BSM10GP120BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BSM10GP120BOSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo IGBT | - |
Configuración | Three Phase Inverter |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 1200V |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 20A |
Potencia - max | 100W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.85V @ 15V, 10A |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 500µA |
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce | 600pF @ 25V |
Entrada | Three Phase Bridge Rectifier |
Termistor NTC | Yes |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | Module |
Paquete del dispositivo del proveedor | Module |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM10GP120BOSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BSM10GP120BOSA1-FT |
APTGT150SK60TG
Microsemi Corporation
APTGT200A60TG
Microsemi Corporation
APTGT200DA170D3G
Microsemi Corporation
APTGT200DA60TG
Microsemi Corporation
APTGT200SK120D3G
Microsemi Corporation
APTGT200SK170D3G
Microsemi Corporation
APTGT200SK60TG
Microsemi Corporation
APTGT20A60T1G
Microsemi Corporation
APTGT20DDA60T3G
Microsemi Corporation
APTGT20DSK60T3G
Microsemi Corporation
A1010B-VQG80C
Microsemi Corporation
XC2S50E-6FTG256C
Xilinx Inc.
AX250-FG484M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX022E3F27E2LG
Intel
10M50DAF672C8G
Intel
5SGXMB6R1F43C2LN
Intel
XC7K70T-1FB484C
Xilinx Inc.
EP2C70F896C6N
Intel
EP1C4F400C8
Intel