casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / BSM10GD120DN2E3224BOSA1
Número de pieza del fabricante | BSM10GD120DN2E3224BOSA1 |
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Número de parte futuro | FT-BSM10GD120DN2E3224BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BSM10GD120DN2E3224BOSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo IGBT | - |
Configuración | Full Bridge |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 1200V |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 15A |
Potencia - max | 80W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.2V @ 15V, 10A |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 400µA |
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce | 530pF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | Module |
Paquete del dispositivo del proveedor | Module |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM10GD120DN2E3224BOSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BSM10GD120DN2E3224BOSA1-FT |
APTGT150SK170D1G
Microsemi Corporation
APTGT150SK60TG
Microsemi Corporation
APTGT200A60TG
Microsemi Corporation
APTGT200DA170D3G
Microsemi Corporation
APTGT200DA60TG
Microsemi Corporation
APTGT200SK120D3G
Microsemi Corporation
APTGT200SK170D3G
Microsemi Corporation
APTGT200SK60TG
Microsemi Corporation
APTGT20A60T1G
Microsemi Corporation
APTGT20DDA60T3G
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-3T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P250L-VQG100
Microsemi Corporation
EP3C120F484I7N
Intel
5SEE9F45I2N
Intel
5SGXMA5N2F45I2LN
Intel
LFE3-150EA-6LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX027E1F29E1HG
Intel
EP2C20Q240C8N
Intel
EP20K100EQI208-3
Intel
EPF10K30AQI208-3
Intel