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Infineon Technologies BSG0813NDIATMA1

Número de pieza de MFG
BSG0813NDIATMA1
Cantidad disponible
56460 Piezas
Precio de referencia
USD 0.81544
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Fecha de envío
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fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
- MOSFET 2N-CH 25V 19A/33A 8TISON
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-BSG0813NDIATMA1
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
BSG0813NDIATMA1 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Característica FET Logic Level Gate, 4.5V Drive
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 25V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 19A, 33A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 8.4nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1100pF @ 12V
Potencia - max 2.5W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 155°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caja 8-PowerTDFN
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TISON-8
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSG0813NDIATMA1 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto BSG0813NDIATMA1-FT

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