casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / BSG0811NDATMA1
Número de pieza del fabricante | BSG0811NDATMA1 |
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Número de parte futuro | FT-BSG0811NDATMA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSG0811NDATMA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
Característica FET | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 25V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 19A, 41A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 8.4nC @ 4.5V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1100pF @ 12V |
Potencia - max | 2.5W |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-PowerTDFN |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TISON-8 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSG0811NDATMA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BSG0811NDATMA1-FT |
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