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Infineon Technologies BSG0810NDIATMA1

Name: BSG0810NDIATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSG0810NDIATMA1
Price: 0.896896 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (804 reviews)

Número de pieza de MFG: BSG0810NDIATMA1

Cantidad disponible: 84680 Piezas

Precio de referencia: USD 0.896896

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fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: OptiMOS™ MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: BSG0810NDIATMA1.pdf

BSG0810NDIATMA1 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	BSG0810NDIATMA1
Número de parte futuro	FT-BSG0810NDIATMA1
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	OptiMOS™
BSG0810NDIATMA1 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Característica FET	Logic Level Gate, 4.5V Drive
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	25V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	19A, 39A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	8.4nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	1040pF @ 12V
Potencia - max	2.5W
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 155°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caja	8-PowerTDFN
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TISON-8
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSG0810NDIATMA1 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	BSG0810NDIATMA1-FT

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