casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BSC600N25NS3GATMA1
Número de pieza del fabricante | BSC600N25NS3GATMA1 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-BSC600N25NS3GATMA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSC600N25NS3GATMA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 250V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 25A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 90µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2350pF @ 100V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 125W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TDSON-8 |
Paquete / Caja | 8-PowerTDFN |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSC600N25NS3GATMA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BSC600N25NS3GATMA1-FT |
BSC028N06LS3GATMA1
Infineon Technologies
BSC028N06NSATMA1
Infineon Technologies
BSC028N06NSTATMA1
Infineon Technologies
BSC029N025S G
Infineon Technologies
BSC030N03MSGATMA1
Infineon Technologies
BSC030N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
BSC032N03S
Infineon Technologies
BSC032N03SG
Infineon Technologies
BSC032N04LSATMA1
Infineon Technologies
BSC032NE2LSATMA1
Infineon Technologies
LCMXO1200E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-2PQ100C
Microsemi Corporation
XC6SLX9-2FT256I
Xilinx Inc.
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP2A15F672C7AA
Intel
EP3CLS70U484I7
Intel
5SGSED6K2F40C3N
Intel
EP4CE10E22C9L
Intel
LFE3-70E-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EBC652-1X
Intel