casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BSC100N06LS3GATMA1
Número de pieza del fabricante | BSC100N06LS3GATMA1 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-BSC100N06LS3GATMA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSC100N06LS3GATMA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 12A (Ta), 50A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 23µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 3500pF @ 30V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 2.5W (Ta), 50W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TDSON-8 |
Paquete / Caja | 8-PowerTDFN |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSC100N06LS3GATMA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BSC100N06LS3GATMA1-FT |
IRF7811TR
Infineon Technologies
IRF7811WGTRPBF
Infineon Technologies
IRF7811WTR
Infineon Technologies
IRF7811WTRPBF
Infineon Technologies
IRF7815PBF
Infineon Technologies
IRF7815TRPBF
Infineon Technologies
IRF7820PBF
Infineon Technologies
IRF7820TRPBF
Infineon Technologies
IRF7821GTRPBF
Infineon Technologies
IRF7821PBF
Infineon Technologies
XC3S1600E-5FGG320C
Xilinx Inc.
XC3S250E-4VQ100I
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-6900C-6BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX50CF23C7
Intel
5SGXEA3K1F40C2L
Intel
5SGXMA3K2F40C2LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC6VLX195T-3FFG784C
Xilinx Inc.
5CGXFC4C7U19C8N
Intel