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Infineon Technologies BSC0910NDIATMA1

Name: BSC0910NDIATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC0910NDIATMA1
Price: 0.779408 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (620 reviews)

Número de pieza de MFG: BSC0910NDIATMA1

Cantidad disponible: 11430 Piezas

Precio de referencia: USD 0.779408

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fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: OptiMOS™ MOSFET 2N-CH 25V 16A/31A TISON8

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: BSC0910NDIATMA1.pdf

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BSC0910NDIATMA1 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	BSC0910NDIATMA1
Número de parte futuro	FT-BSC0910NDIATMA1
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	OptiMOS™
BSC0910NDIATMA1 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Característica FET	Logic Level Gate, 4.5V Drive
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	25V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	11A, 31A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.6 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	6.6nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	4500pF @ 12V
Potencia - max	1W
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caja	8-PowerTDFN
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TISON-8
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSC0910NDIATMA1 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	BSC0910NDIATMA1-FT

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