casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BSC047N08NS3GATMA1
Número de pieza del fabricante | BSC047N08NS3GATMA1 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-BSC047N08NS3GATMA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSC047N08NS3GATMA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 80V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 18A (Ta), 100A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.7 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 90µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 69nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 4800pF @ 40V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 2.5W (Ta), 125W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TDSON-8 |
Paquete / Caja | 8-PowerTDFN |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSC047N08NS3GATMA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BSC047N08NS3GATMA1-FT |
BSC16DN25NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSC340N08NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSC520N15NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSZ105N04NSGATMA1
Infineon Technologies
BSZ130N03LSGATMA1
Infineon Technologies
BSZ22DN20NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSC017N04NSGATMA1
Infineon Technologies
BSC020N03MSGATMA1
Infineon Technologies
BSC024NE2LSATMA1
Infineon Technologies
BSC025N03MSGATMA1
Infineon Technologies
M2GL025-1FG484I
Microsemi Corporation
APA600-BG456M
Microsemi Corporation
APA450-FG256
Microsemi Corporation
A3P400-1FG256
Microsemi Corporation
XC2V4000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200UHC-4FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C4L
Intel
10CL080YF780C6G
Intel