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Infineon Technologies BSC046N02KSGAUMA1

Name: BSC046N02KSGAUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC046N02KSGAUMA1
Price: 0.463592 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (350 reviews)

Número de pieza de MFG: BSC046N02KSGAUMA1

Cantidad disponible: 90110 Piezas

Precio de referencia: USD 0.463592

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fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: OptiMOS™ MOSFET N-CH 20V 80A TDSON-8

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: BSC046N02KSGAUMA1.pdf

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Número de pieza del fabricante	BSC046N02KSGAUMA1
Número de parte futuro	FT-BSC046N02KSGAUMA1
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	OptiMOS™
BSC046N02KSGAUMA1 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	19A (Ta), 80A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.6 mOhm @ 50A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 110µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	27.6nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	4100pF @ 10V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	2.8W (Ta), 48W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TDSON-8
Paquete / Caja	8-PowerTDFN
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSC046N02KSGAUMA1 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	BSC046N02KSGAUMA1-FT

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