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Infineon Technologies BSC042NE7NS3GATMA1

Name: BSC042NE7NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC042NE7NS3GATMA1
Price: 0.936248 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (654 reviews)

Número de pieza de MFG: BSC042NE7NS3GATMA1

Cantidad disponible: 13530 Piezas

Precio de referencia: USD 0.936248

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fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: OptiMOS™ MOSFET N-CH 75V 100A TDSON-8

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: BSC042NE7NS3GATMA1.pdf

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BSC042NE7NS3GATMA1 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	BSC042NE7NS3GATMA1
Número de parte futuro	FT-BSC042NE7NS3GATMA1
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	OptiMOS™
BSC042NE7NS3GATMA1 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	75V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	19A (Ta), 100A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.2 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.8V @ 91µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	69nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	4800pF @ 37.5V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	2.5W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TDSON-8
Paquete / Caja	8-PowerTDFN
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSC042NE7NS3GATMA1 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	BSC042NE7NS3GATMA1-FT

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