casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BSC010NE2LSATMA1
Número de pieza del fabricante | BSC010NE2LSATMA1 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-BSC010NE2LSATMA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSC010NE2LSATMA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 25V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 39A (Ta), 100A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 64nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 4700pF @ 12V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 2.5W (Ta), 96W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TDSON-8 |
Paquete / Caja | 8-PowerTDFN |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSC010NE2LSATMA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BSC010NE2LSATMA1-FT |
IRF7815TRPBF
Infineon Technologies
IRF7820PBF
Infineon Technologies
IRF7820TRPBF
Infineon Technologies
IRF7821GTRPBF
Infineon Technologies
IRF7821PBF
Infineon Technologies
IRF7821TR
Infineon Technologies
IRF7822PBF
Infineon Technologies
IRF7822TRPBF
Infineon Technologies
IRF7828PBF
Infineon Technologies
IRF7828TRPBF
Infineon Technologies
EP20K100ETC144-1N
Intel
LFXP3C-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S100-5PQ208I
Xilinx Inc.
A3PE600-PQG208
Microsemi Corporation
10AX027E4F29I3SG
Intel
5SEE9H40C2LN
Intel
A40MX04-PL84I
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP15C-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation