casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BS870Q-7-F
Número de pieza del fabricante | BS870Q-7-F |
---|---|
Número de parte futuro | FT-BS870Q-7-F |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BS870Q-7-F Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 250mA (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 Ohm @ 200mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 50pF @ 10V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 300mW |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-23 |
Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BS870Q-7-F Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BS870Q-7-F-FT |
DMG3414U-7
Diodes Incorporated
VN10LFTA
Diodes Incorporated
ZXMN2B01FTA
Diodes Incorporated
ZVN4106FTA
Diodes Incorporated
DMP3099L-13
Diodes Incorporated
DMG2302UQ-7
Diodes Incorporated
DMN2046U-7
Diodes Incorporated
DMP6350S-7
Diodes Incorporated
ZXMP3F30FHTA
Diodes Incorporated
DMP3099LQ-7
Diodes Incorporated
LCMXO2-1200ZE-2TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1400AN-4FGG484C
Xilinx Inc.
10M08DCF484C8G
Intel
5SGXMB5R3F43C3N
Intel
5SGXMA7H3F35I3
Intel
LCMXO2280E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTFC7H3F35I3G
Intel
EP1C4F400C8
Intel
EP20K200EBC356-1
Intel