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Infineon Technologies BS7067N06LS3G

Name: BS7067N06LS3G
Brand: Infineon Technologies
SKU: BS7067N06LS3G
Availability: InStock
Rating: 4.5 (82 reviews)

Número de pieza de MFG: BS7067N06LS3G

Cantidad disponible: 84800 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: OptiMOS™ MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: BS7067N06LS3G.pdf

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BS7067N06LS3G Presupuesto

Número de pieza del fabricante	BS7067N06LS3G
Número de parte futuro	FT-BS7067N06LS3G
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	OptiMOS™
BS7067N06LS3G Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	14A (Ta), 20A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.7 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 35µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	62nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	4800pF @ 30V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	2.1W (Ta), 78W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TSDSON-8
Paquete / Caja	8-PowerVDFN
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BS7067N06LS3G Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	BS7067N06LS3G-FT

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