casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BS107PSTOA
Número de pieza del fabricante | BS107PSTOA |
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Número de parte futuro | FT-BS107PSTOA |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BS107PSTOA Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 200V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 120mA (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 2.6V, 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30 Ohm @ 100mA, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | - |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 500mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | E-Line (TO-92 compatible) |
Paquete / Caja | E-Line-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BS107PSTOA Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BS107PSTOA-FT |
LND150N3-G
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5SGSED8N3F45I3LN
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5SGXEB5R1F43I2N
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AGL1000V5-FGG144I
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LFE2M70SE-6FN900I
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EP4SGX70HF35C2G
Intel