casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BS107AG
Número de pieza del fabricante | BS107AG |
---|---|
Número de parte futuro | FT-BS107AG |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BS107AG Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 200V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 250mA (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.4 Ohm @ 250mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 60pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 350mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-92-3 |
Paquete / Caja | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BS107AG Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BS107AG-FT |
RJK6012DPE-00#J3
Renesas Electronics America
RJK6013DPE-00#J3
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RJK6026DPE-00#J3
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RJK4006DPD-00#J2
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