casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / BRL1608T2R2M
Número de pieza del fabricante | BRL1608T2R2M |
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Número de parte futuro | FT-BRL1608T2R2M |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | BR, L Type |
BRL1608T2R2M Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Ferrite |
Inductancia | 2.2µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 500mA |
Corriente - Saturación | 360mA |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 520 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | 400MHz |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 105°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 1MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 0603 (1608 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 0603 (1608 Metric) |
Tamaño / Dimensión | 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.028" (0.70mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BRL1608T2R2M Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BRL1608T2R2M-FT |
LB3218T150MV
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Xilinx Inc.
APA600-FGG484A
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C3T100I7
Intel
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8
Intel
5SGXEA7H3F35C2N
Intel
5AGXMA5G4F31C4N
Intel