casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / BRCD016GWZ-3E2
Número de pieza del fabricante | BRCD016GWZ-3E2 |
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Número de parte futuro | FT-BRCD016GWZ-3E2 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BRCD016GWZ-3E2 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EEPROM |
Tecnología | EEPROM |
Tamaño de la memoria | 16Kb (2K x 8) |
Frecuencia de reloj | 400kHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 5ms |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | I²C |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 6-XFBGA, CSPBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | UCSP35L1 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BRCD016GWZ-3E2 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BRCD016GWZ-3E2-FT |
BR24A01AF-WME2
Rohm Semiconductor
BR24A02F-WME2
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BR24A64F-WME2
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BR24C21F-E2
Rohm Semiconductor
XC2S50-5TQG144C
Xilinx Inc.
XC7S75-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
XCS05-3VQ100I
Xilinx Inc.
XC4013XL-3PQ208I
Xilinx Inc.
A3P250-2FG256
Microsemi Corporation
10CL080ZF484I8G
Intel
5SGXMA4H3F35C2N
Intel
ICE40LP1K-CB81
Lattice Semiconductor Corporation
AT6005-4JC
Microchip Technology
5SGSMD3H2F35I3LN
Intel