casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / BRCB064GWZ-3E2
Número de pieza del fabricante | BRCB064GWZ-3E2 |
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Número de parte futuro | FT-BRCB064GWZ-3E2 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BRCB064GWZ-3E2 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EEPROM |
Tecnología | EEPROM |
Tamaño de la memoria | 64Kb (8K x 8) |
Frecuencia de reloj | 400kHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 5ms |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | I²C |
Suministro de voltaje | 1.6V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 6-XFBGA, CSPBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | UCSP30L1 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BRCB064GWZ-3E2 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BRCB064GWZ-3E2-FT |
BR24T128FV-WE2
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Lattice Semiconductor Corporation
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5SGSED8N1F45C2LN
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A1010B-2PLG44C
Microsemi Corporation
LFX200B-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C5N
Intel
5SGXEA3H3F35C2LN
Intel