casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / BR93H46RFJ-2CE2
Número de pieza del fabricante | BR93H46RFJ-2CE2 |
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Número de parte futuro | FT-BR93H46RFJ-2CE2 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
BR93H46RFJ-2CE2 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EEPROM |
Tecnología | EEPROM |
Tamaño de la memoria | 1Kb (64 x 16) |
Frecuencia de reloj | 2MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 4ms |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 2.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOP-J |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BR93H46RFJ-2CE2 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BR93H46RFJ-2CE2-FT |
MT28EW01GABA1LJS-0AAT TR
Micron Technology Inc.
MT28EW512ABA1LJS-0AAT TR
Micron Technology Inc.
MT28FW01GABA1HJS-0AAT TR
Micron Technology Inc.
MT28FW512ABA1LJS-0AAT TR
Micron Technology Inc.
MT28EW256ABA1HJS-0SIT TR
Micron Technology Inc.
MT28EW256ABA1LJS-0SIT TR
Micron Technology Inc.
JS28F256J3F1058 TR
Micron Technology Inc.
M29DW256G70NF3E
Micron Technology Inc.
M29W512GH70N3E
Micron Technology Inc.
M29W512GH7AN6E
Micron Technology Inc.
A54SX32A-TQG144
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED8K3F40I4N
Intel
10CX150YF672E6G
Intel
5SGXEA9N3F45I4N
Intel
LFEC33E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-5BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H3F34E2SG
Intel
EP3SE50F780C4
Intel