Número de pieza del fabricante | BR810 |
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Número de parte futuro | FT-BR810 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BR810 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 1kV |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 8A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 4A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 1000V |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-Square, BR-8 |
Paquete del dispositivo del proveedor | BR-8 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BR810 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BR810-FT |
RABF26-13
Diodes Incorporated
RABF28-13
Diodes Incorporated
RDBF151U-13
Diodes Incorporated
RDBF152U-13
Diodes Incorporated
RDBF154U-13
Diodes Incorporated
RDBF156U-13
Diodes Incorporated
RDBF158U-13
Diodes Incorporated
RDBF251-13
Diodes Incorporated
RDBF252-13
Diodes Incorporated
RDBF254-13
Diodes Incorporated
XC6SLX150T-N3CSG484I
Xilinx Inc.
XC2S150-5FG456C
Xilinx Inc.
A3PE600-2FG484I
Microsemi Corporation
APA600-FG484A
Microsemi Corporation
5SGXMA9N3F45I4N
Intel
EP4SE820F43I3
Intel
LCMXO256C-5MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K50QC208-3
Intel
EPF6016AQC208-2
Intel
EP20K1000CF33C9ES
Intel