Número de pieza del fabricante | BR810 |
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Número de parte futuro | FT-BR810 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BR810 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 1kV |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 8A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 4A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 1000V |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-Square, BR-8 |
Paquete del dispositivo del proveedor | BR-8 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BR810 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BR810-FT |
RABF26-13
Diodes Incorporated
RABF28-13
Diodes Incorporated
RDBF151U-13
Diodes Incorporated
RDBF152U-13
Diodes Incorporated
RDBF154U-13
Diodes Incorporated
RDBF156U-13
Diodes Incorporated
RDBF158U-13
Diodes Incorporated
RDBF251-13
Diodes Incorporated
RDBF252-13
Diodes Incorporated
RDBF254-13
Diodes Incorporated
XCS20XL-5VQ100C
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
A42MX36-1PQG208
Microsemi Corporation
EP20K160EFI484-2X
Intel
EP3SL200H780C4L
Intel
EP3C5E144C7
Intel
A40MX02-3PLG44
Microsemi Corporation
LCMXO3L-1300E-6MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F40I3LG
Intel
10AX032E1F27I1HG
Intel