casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / BR5010W-G
Número de pieza del fabricante | BR5010W-G |
---|---|
Número de parte futuro | FT-BR5010W-G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BR5010W-G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 1kV |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 50A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 25A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 1000V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-Square, BR-W |
Paquete del dispositivo del proveedor | BR-W |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BR5010W-G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BR5010W-G-FT |
678-6
Microsemi Corporation
679-1
Microsemi Corporation
679-2
Microsemi Corporation
679-4
Microsemi Corporation
679-5
Microsemi Corporation
679-6
Microsemi Corporation
680-1
Microsemi Corporation
680-2
Microsemi Corporation
680-3
Microsemi Corporation
680-4
Microsemi Corporation
A1010B-2PQG100C
Microsemi Corporation
XC6SLX100-L1CSG484C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-2FGG484C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M2GL005S-VFG256
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQ100I
Microsemi Corporation
5SEEBH40I2N
Intel
XC7V2000T-2FHG1761C
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50RI240-4N
Intel