casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / BR35H128FJ-WCE2
Número de pieza del fabricante | BR35H128FJ-WCE2 |
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Número de parte futuro | FT-BR35H128FJ-WCE2 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
BR35H128FJ-WCE2 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EEPROM |
Tecnología | EEPROM |
Tamaño de la memoria | 128Kb (16K x 8) |
Frecuencia de reloj | 5MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 5ms |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 2.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOP-J |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BR35H128FJ-WCE2 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BR35H128FJ-WCE2-FT |
MT28EW01GABA1LJS-0SIT TR
Micron Technology Inc.
MT28EW128ABA1HJS-0SIT TR
Micron Technology Inc.
MT28EW128ABA1LJS-0SIT TR
Micron Technology Inc.
MT28EW512ABA1HJS-0SIT TR
Micron Technology Inc.
MT28EW512ABA1LJS-0SIT TR
Micron Technology Inc.
MT28EW01GABA1HJS-0AAT TR
Micron Technology Inc.
MT28EW01GABA1LJS-0AAT
Micron Technology Inc.
MT28EW01GABA1LJS-0AAT TR
Micron Technology Inc.
MT28EW512ABA1LJS-0AAT TR
Micron Technology Inc.
MT28FW01GABA1HJS-0AAT TR
Micron Technology Inc.
A3P015-QNG68I
Microsemi Corporation
EP1K30TI144-2
Intel
LCMXO2280C-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S75-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
ICE40UL1K-SWG16ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN125-VQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX45-2CSG324C
Xilinx Inc.
A42MX24-PQG160I
Microsemi Corporation
10M16DCU324I7G
Intel
EP4CE55F29C8N
Intel