casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / BR25S640FVJ-WE2
Número de pieza del fabricante | BR25S640FVJ-WE2 |
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Número de parte futuro | FT-BR25S640FVJ-WE2 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BR25S640FVJ-WE2 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EEPROM |
Tecnología | EEPROM |
Tamaño de la memoria | 64Kb (8K x 8) |
Frecuencia de reloj | 20MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 5ms |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-TSSOP-BJ |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BR25S640FVJ-WE2 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BR25S640FVJ-WE2-FT |
BR93G56F-3BGTE2
Rohm Semiconductor
BR93G66F-3AGTE2
Rohm Semiconductor
BR93G66F-3BGTE2
Rohm Semiconductor
BR93G76F-3GTE2
Rohm Semiconductor
BR93G86F-3AGTE2
Rohm Semiconductor
BR93G86F-3BGTE2
Rohm Semiconductor
BR93H56RF-WCE2
Rohm Semiconductor
BR93H66RF-2CE2
Rohm Semiconductor
BR93H66RF-WCE2
Rohm Semiconductor
BR93H86RF-2CE2
Rohm Semiconductor
M2GL010TS-1FG484I
Microsemi Corporation
A54SX72A-PQG208
Microsemi Corporation
10M08DAF256C7G
Intel
5SGXEA4K1F40C2N
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5SGXMA3E2H29I3L
Intel
EP4CE15E22C8L
Intel
EP4S100G3F45I2
Intel
XA7A35T-2CSG324I
Xilinx Inc.
AGL250V2-FG144
Microsemi Corporation
5SGSMD4H1F35C2N
Intel