casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / BR25S640FJ-WE2
Número de pieza del fabricante | BR25S640FJ-WE2 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-BR25S640FJ-WE2 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BR25S640FJ-WE2 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EEPROM |
Tecnología | EEPROM |
Tamaño de la memoria | 64Kb (8K x 8) |
Frecuencia de reloj | 20MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 5ms |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOP-J |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BR25S640FJ-WE2 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BR25S640FJ-WE2-FT |
MT28EW01GABA1HJS-0SIT TR
Micron Technology Inc.
MT28EW01GABA1LJS-0SIT TR
Micron Technology Inc.
MT28EW128ABA1HJS-0SIT TR
Micron Technology Inc.
MT28EW128ABA1LJS-0SIT TR
Micron Technology Inc.
MT28EW512ABA1HJS-0SIT TR
Micron Technology Inc.
MT28EW512ABA1LJS-0SIT TR
Micron Technology Inc.
MT28EW01GABA1HJS-0AAT TR
Micron Technology Inc.
MT28EW01GABA1LJS-0AAT
Micron Technology Inc.
MT28EW01GABA1LJS-0AAT TR
Micron Technology Inc.
MT28EW512ABA1LJS-0AAT TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2280E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-2TQG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-5QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7K3F40C2L
Intel
10M08SAU169I7G
Intel
XC2VP50-5FF1152I
Xilinx Inc.
XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K160EBC356-1
Intel