casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / BR25L010FVJ-WE2
Número de pieza del fabricante | BR25L010FVJ-WE2 |
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Número de parte futuro | FT-BR25L010FVJ-WE2 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BR25L010FVJ-WE2 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EEPROM |
Tecnología | EEPROM |
Tamaño de la memoria | 1Kb (128 x 8) |
Frecuencia de reloj | 5MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 5ms |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 1.8V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-TSSOP-J |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BR25L010FVJ-WE2 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BR25L010FVJ-WE2-FT |
BR24T128FVJ-WE2
Rohm Semiconductor
BR25L320F-WE2
Rohm Semiconductor
BR93G66FVJ-3AGTE2
Rohm Semiconductor
BR93G66FVJ-3BGTE2
Rohm Semiconductor
BR93G76FVJ-3BGTE2
Rohm Semiconductor
BR93G76FVJ-3GTE2
Rohm Semiconductor
MR44V064BMAZAATL
Rohm Semiconductor
BR24G01FVJ-3AGTE2
Rohm Semiconductor
BR24G01FVJ-3GTE2
Rohm Semiconductor
BR24G02FVJ-3AGTE2
Rohm Semiconductor
XC4006E-3TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-N3FGG900C
Xilinx Inc.
LFE3-17EA-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10M08DCF484I7G
Intel
EP3CLS150F484C8
Intel
EP4CE115F23C7
Intel
XC2VP20-6FFG1152I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HE-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX027E2F27E1HG
Intel
EP4SGX360HF35I3N
Intel