casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / BR25L010FVJ-WE2
Número de pieza del fabricante | BR25L010FVJ-WE2 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-BR25L010FVJ-WE2 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BR25L010FVJ-WE2 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EEPROM |
Tecnología | EEPROM |
Tamaño de la memoria | 1Kb (128 x 8) |
Frecuencia de reloj | 5MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 5ms |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 1.8V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-TSSOP-J |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BR25L010FVJ-WE2 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BR25L010FVJ-WE2-FT |
BR24T128FVJ-WE2
Rohm Semiconductor
BR25L320F-WE2
Rohm Semiconductor
BR93G66FVJ-3AGTE2
Rohm Semiconductor
BR93G66FVJ-3BGTE2
Rohm Semiconductor
BR93G76FVJ-3BGTE2
Rohm Semiconductor
BR93G76FVJ-3GTE2
Rohm Semiconductor
MR44V064BMAZAATL
Rohm Semiconductor
BR24G01FVJ-3AGTE2
Rohm Semiconductor
BR24G01FVJ-3GTE2
Rohm Semiconductor
BR24G02FVJ-3AGTE2
Rohm Semiconductor
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
XC3SD1800A-4CS484LI
Xilinx Inc.
XC2V500-5FG256I
Xilinx Inc.
A14V40A-VQG100C
Microsemi Corporation
5SGXMABN3F45C2LN
Intel
A3PE1500-FGG676I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F35I3SG
Intel
EP20K200EQC240-1X
Intel