casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / BR25G640F-3GE2
Número de pieza del fabricante | BR25G640F-3GE2 |
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Número de parte futuro | FT-BR25G640F-3GE2 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BR25G640F-3GE2 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EEPROM |
Tecnología | EEPROM |
Tamaño de la memoria | 64Kb (8K x 8) |
Frecuencia de reloj | 20MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 5ms |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 1.6V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BR25G640F-3GE2 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BR25G640F-3GE2-FT |
S40410161B1B1W010
Cypress Semiconductor Corp
S40410161B1B1W013
Cypress Semiconductor Corp
S40410161B1B2I010
Cypress Semiconductor Corp
S40410161B1B2I013
Cypress Semiconductor Corp
S40410161B1B2W010
Cypress Semiconductor Corp
S40410161B1B2W013
Cypress Semiconductor Corp
LHF00L30
Sharp Microelectronics
LHF00L29
Sharp Microelectronics
LHF00L28
Sharp Microelectronics
LHF00L15
Sharp Microelectronics
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEA5H1F35I2N
Intel
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel