casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / BR25G640F-3GE2
Número de pieza del fabricante | BR25G640F-3GE2 |
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Número de parte futuro | FT-BR25G640F-3GE2 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BR25G640F-3GE2 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EEPROM |
Tecnología | EEPROM |
Tamaño de la memoria | 64Kb (8K x 8) |
Frecuencia de reloj | 20MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 5ms |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 1.6V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BR25G640F-3GE2 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BR25G640F-3GE2-FT |
S40410161B1B1W010
Cypress Semiconductor Corp
S40410161B1B1W013
Cypress Semiconductor Corp
S40410161B1B2I010
Cypress Semiconductor Corp
S40410161B1B2I013
Cypress Semiconductor Corp
S40410161B1B2W010
Cypress Semiconductor Corp
S40410161B1B2W013
Cypress Semiconductor Corp
LHF00L30
Sharp Microelectronics
LHF00L29
Sharp Microelectronics
LHF00L28
Sharp Microelectronics
LHF00L15
Sharp Microelectronics
XCKU035-1FBVA676I
Xilinx Inc.
XC3S100E-4VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN030-Z1QNG48I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP4CE10F17A7N
Intel
EPF10K30EFC256-3
Intel
LFE2-20E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EFC324-1
Intel