casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / BR25G512F-3GE2
Número de pieza del fabricante | BR25G512F-3GE2 |
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Número de parte futuro | FT-BR25G512F-3GE2 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BR25G512F-3GE2 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EEPROM |
Tecnología | EEPROM |
Tamaño de la memoria | 512Kb (64K x 8) |
Frecuencia de reloj | 10MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 5ms |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 1.8V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BR25G512F-3GE2 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BR25G512F-3GE2-FT |
S40410161B1B1I013
Cypress Semiconductor Corp
S40410161B1B1W010
Cypress Semiconductor Corp
S40410161B1B1W013
Cypress Semiconductor Corp
S40410161B1B2I010
Cypress Semiconductor Corp
S40410161B1B2I013
Cypress Semiconductor Corp
S40410161B1B2W010
Cypress Semiconductor Corp
S40410161B1B2W013
Cypress Semiconductor Corp
LHF00L30
Sharp Microelectronics
LHF00L29
Sharp Microelectronics
LHF00L28
Sharp Microelectronics
M2GL010T-FG484
Microsemi Corporation
EP1SGX25DF672C5N
Intel
EPF10K50SFC256-1X
Intel
EP1M350F780I6
Intel
XC2V1500-5BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX220T-1FF1738C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-45F-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K130EBC356-2
Intel