casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / BR25A512F-3MGE2
Número de pieza del fabricante | BR25A512F-3MGE2 |
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Número de parte futuro | FT-BR25A512F-3MGE2 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BR25A512F-3MGE2 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EEPROM |
Tecnología | EEPROM |
Tamaño de la memoria | 512Kb (64K x 8) |
Frecuencia de reloj | 10MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 5ms |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 2.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 105°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BR25A512F-3MGE2 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BR25A512F-3MGE2-FT |
M29W040B70N1
STMicroelectronics
S29WS128P0SBFW000
Cypress Semiconductor Corp
S29WS256P0LBFW000
Cypress Semiconductor Corp
S29WS512P0SBFW000
Cypress Semiconductor Corp
S29WS128P0PBFW000
Cypress Semiconductor Corp
S29WS256P0PBFW000
Cypress Semiconductor Corp
S29WS256P0SBFW002
Cypress Semiconductor Corp
S29WS256PABBAW000
Cypress Semiconductor Corp
S29WS256PABBFW000
Cypress Semiconductor Corp
S29WS128P0PBAW000
Cypress Semiconductor Corp
M2GL025TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX16A-FFG256
Microsemi Corporation
MPF200T-FCG484E
Microsemi Corporation
5CGXFC5C6F27C7N
Intel
5SGSED6N1F45C2LN
Intel
5SGXEB9R3H43C2L
Intel
A42MX24-1PQG160M
Microsemi Corporation
10M16DCU324A7G
Intel
5AGXMA1D6F31C6N
Intel
EP20K100EBC356-3N
Intel