casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / BR2510W-G
Número de pieza del fabricante | BR2510W-G |
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Número de parte futuro | FT-BR2510W-G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BR2510W-G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 1kV |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 25A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 25A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 1000V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-Square, BR-W |
Paquete del dispositivo del proveedor | BR-W |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BR2510W-G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BR2510W-G-FT |
60MT80KB
Vishay Semiconductor Diodes Division
678-1
Microsemi Corporation
678-2
Microsemi Corporation
678-4
Microsemi Corporation
678-5
Microsemi Corporation
678-6
Microsemi Corporation
679-1
Microsemi Corporation
679-2
Microsemi Corporation
679-4
Microsemi Corporation
679-5
Microsemi Corporation
XC6SLX4-3TQG144I
Xilinx Inc.
A1225A-PQ100C
Microsemi Corporation
XC4005-5PQ208C
Xilinx Inc.
AFS600-2FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMB6R3F43C2LN
Intel
EP3SE110F1152C3N
Intel
XC2VP30-5FFG1152I
Xilinx Inc.
EPF8636ALC84-4N
Intel
EP4SGX230HF35I4N
Intel