casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / BR24T04FJ-WE2
Número de pieza del fabricante | BR24T04FJ-WE2 |
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Número de parte futuro | FT-BR24T04FJ-WE2 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BR24T04FJ-WE2 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EEPROM |
Tecnología | EEPROM |
Tamaño de la memoria | 4Kb (512 x 8) |
Frecuencia de reloj | 400kHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 5ms |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | I²C |
Suministro de voltaje | 1.6V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOP-J |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BR24T04FJ-WE2 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BR24T04FJ-WE2-FT |
S29PL127J60BAW002
Cypress Semiconductor Corp
S29PL127J60BAW003
Cypress Semiconductor Corp
S29PL127J60BFI000
Cypress Semiconductor Corp
S29PL127J60BFI000A
Cypress Semiconductor Corp
S29PL127J70BAI000
Cypress Semiconductor Corp
S29PL127J70BAI003
Cypress Semiconductor Corp
S29PL127J70BFI000
Cypress Semiconductor Corp
S29PL127J80BFI010
Cypress Semiconductor Corp
MT28EW256ABA1LJS-0SIT
Micron Technology Inc.
MT28EW128ABA1HJS-0SIT
Micron Technology Inc.
A3P400-1FGG256
Microsemi Corporation
M2GL050S-1VFG400I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-3
Intel
EP4CE15F23C7
Intel
A1010B-1PL44I
Microsemi Corporation
XC2VP7-6FFG672I
Xilinx Inc.
APA600-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGTFD7D5F31I7N
Intel
10AX115R1F40E1SG
Intel