casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / BR24S32FVJ-WE2
Número de pieza del fabricante | BR24S32FVJ-WE2 |
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Número de parte futuro | FT-BR24S32FVJ-WE2 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BR24S32FVJ-WE2 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EEPROM |
Tecnología | EEPROM |
Tamaño de la memoria | 32Kb (4K x 8) |
Frecuencia de reloj | 400kHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 5ms |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | I²C |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-TSSOP-BJ |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BR24S32FVJ-WE2 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BR24S32FVJ-WE2-FT |
BR25H160F-2CE2
Rohm Semiconductor
BR25H640F-2ACE2
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Rohm Semiconductor
BR93G66F-3AGTE2
Rohm Semiconductor
EP1K30TC144-1N
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LFEC3E-3T100I
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XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C35U484C8N
Intel
A42MX24-2PL84I
Microsemi Corporation
M1AGL1000V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35I4N
Intel