casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / BR24S08FVJ-WE2
Número de pieza del fabricante | BR24S08FVJ-WE2 |
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Número de parte futuro | FT-BR24S08FVJ-WE2 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BR24S08FVJ-WE2 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EEPROM |
Tecnología | EEPROM |
Tamaño de la memoria | 8Kb (1K x 8) |
Frecuencia de reloj | 400kHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 5ms |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | I²C |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-TSSOP-BJ |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BR24S08FVJ-WE2 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BR24S08FVJ-WE2-FT |
BR25H128F-2CE2
Rohm Semiconductor
BR25H128F-2LBH2
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BR93G46F-3AGTE2
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BR93G46F-3GTE2
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BR93G56F-3AGTE2
Rohm Semiconductor
M2GL010T-FG484
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EP1SGX25DF672C5N
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EPF10K50SFC256-1X
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EP1M350F780I6
Intel
XC2V1500-5BGG575C
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XC5VLX220T-1FF1738C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-6F256I
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LFE2-20E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-45F-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K130EBC356-2
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