casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / BR24G02FVT-3GE2
Número de pieza del fabricante | BR24G02FVT-3GE2 |
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Número de parte futuro | FT-BR24G02FVT-3GE2 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BR24G02FVT-3GE2 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EEPROM |
Tecnología | EEPROM |
Tamaño de la memoria | 2Kb (256 x 8) |
Frecuencia de reloj | 400kHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 5ms |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | I²C |
Suministro de voltaje | 1.6V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-TSSOP-B |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BR24G02FVT-3GE2 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BR24G02FVT-3GE2-FT |
BR25H010FJ-WCE2
Rohm Semiconductor
BR25H040FJ-WCE2
Rohm Semiconductor
BR25H080FJ-WCE2
Rohm Semiconductor
BR25H160FJ-WCE2
Rohm Semiconductor
BR25L010FJ-WE2
Rohm Semiconductor
BR25L040FJ-WE2
Rohm Semiconductor
BR25L080FJ-WE2
Rohm Semiconductor
BR93L56FJ-WE2
Rohm Semiconductor
BR93L56RFJ-WE2
Rohm Semiconductor
BR93L66FJ-WE2
Rohm Semiconductor
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEA5H1F35I2N
Intel
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel