casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / BR24G01F-3GTE2
Número de pieza del fabricante | BR24G01F-3GTE2 |
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Número de parte futuro | FT-BR24G01F-3GTE2 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BR24G01F-3GTE2 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EEPROM |
Tecnología | EEPROM |
Tamaño de la memoria | 1Kb (128 x 8) |
Frecuencia de reloj | 400kHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 5ms |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | I²C |
Suministro de voltaje | 1.6V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BR24G01F-3GTE2 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BR24G01F-3GTE2-FT |
BR93H86RF-2CE2
Rohm Semiconductor
BR93L66F-WE2
Rohm Semiconductor
BR24L01AF-WE2
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BR93L46RF-WE2
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XC3S1000-4FGG320I
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M1A3P600L-FG484I
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M2GL050TS-1FG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA5N3F40C4N
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5SGSED6N1F45I2N
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XC5VFX130T-1FFG1738I
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XC7VX485T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
EPF10K70RC240-3N
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5AGZME1H3F35C4N
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