casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / BR24C04-RMN6TP
Número de pieza del fabricante | BR24C04-RMN6TP |
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Número de parte futuro | FT-BR24C04-RMN6TP |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BR24C04-RMN6TP Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EEPROM |
Tecnología | EEPROM |
Tamaño de la memoria | 4Kb (512 x 8) |
Frecuencia de reloj | 100kHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 10ms |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | I²C |
Suministro de voltaje | 1.8V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SO |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BR24C04-RMN6TP Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BR24C04-RMN6TP-FT |
GD25WD05CTIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25WD05CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25WD10CTIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25WD10CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25WD20CTIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25WD20CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25WD40CTIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25WD40CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25WD80CTIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25WD80CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel