casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / BR24C02FJ-WE2
Número de pieza del fabricante | BR24C02FJ-WE2 |
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Número de parte futuro | FT-BR24C02FJ-WE2 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BR24C02FJ-WE2 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EEPROM |
Tecnología | EEPROM |
Tamaño de la memoria | 2Kb (256 x 8) |
Frecuencia de reloj | 400kHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 10ms |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | I²C |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOIC |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BR24C02FJ-WE2 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BR24C02FJ-WE2-FT |
GD25Q80CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25WD05CTIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25WD05CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25WD10CTIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25WD10CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25WD20CTIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25WD20CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25WD40CTIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25WD40CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25WD80CTIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
XC3S1400A-4FG676I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-6BG381I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7F27I7N
Intel
EP3C80U484C7N
Intel
5SGXMA4K2F35I2N
Intel
XCV100-5BG256I
Xilinx Inc.
XC2VP40-6FFG1148C
Xilinx Inc.
XC4VFX20-10FF672C
Xilinx Inc.
XC7K355T-1FF901I
Xilinx Inc.