casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / BR1010W-G
Número de pieza del fabricante | BR1010W-G |
---|---|
Número de parte futuro | FT-BR1010W-G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BR1010W-G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 1kV |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 10A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 25A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 800V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-Square, BR-W |
Paquete del dispositivo del proveedor | BR-W |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BR1010W-G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BR1010W-G-FT |
60MT120KB
Vishay Semiconductor Diodes Division
60MT140KB
Vishay Semiconductor Diodes Division
60MT160KB
Vishay Semiconductor Diodes Division
60MT80KB
Vishay Semiconductor Diodes Division
678-1
Microsemi Corporation
678-2
Microsemi Corporation
678-4
Microsemi Corporation
678-5
Microsemi Corporation
678-6
Microsemi Corporation
679-1
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000HC-5TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A35T-3FTG256E
Xilinx Inc.
XC7A12T-2CSG325I
Xilinx Inc.
M1AFS600-FGG484K
Microsemi Corporation
A3PN030-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP1K10FC256-2N
Intel
5SGSMD5H3F35C2L
Intel
XC2VP7-5FF672I
Xilinx Inc.
A54SX32A-FTQ100
Microsemi Corporation
EP1S40F1508C7N
Intel