casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / BQ4014MB-85
Número de pieza del fabricante | BQ4014MB-85 |
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Número de parte futuro | FT-BQ4014MB-85 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BQ4014MB-85 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | NVSRAM |
Tecnología | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Tamaño de la memoria | 2Mb (256K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 85ns |
Tiempo de acceso | 85ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 4.75V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 32-DIP Module (0.61", 15.49mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 32-DIP Module (18.42x52.96) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BQ4014MB-85 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BQ4014MB-85-FT |
W632GG6KB12I TR
Winbond Electronics
W632GG6KB12J
Winbond Electronics
W632GG6KB15I
Winbond Electronics
W632GG6KB15I TR
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W632GG6KB15J
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W632GU6KB-11
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W632GU6KB-12
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W632GU6KB-12 TR
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W632GU6KB-15
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W632GU6KB-15 TR
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XCS20-3TQ144I
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XC3SD3400A-4CS484C
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LAE5UM-45F-7BG381E
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XC4VLX60-10FFG668C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-7F672C
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5AGXMA1D4F31I3N
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EPF10K50VRI240-3
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