casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / BQ4013YMA-120
Número de pieza del fabricante | BQ4013YMA-120 |
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Número de parte futuro | FT-BQ4013YMA-120 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BQ4013YMA-120 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | NVSRAM |
Tecnología | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Tamaño de la memoria | 1Mb (128K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 120ns |
Tiempo de acceso | 120ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 32-DIP Module (0.61", 15.49mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 32-DIP Module (18.42x42.8) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BQ4013YMA-120 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BQ4013YMA-120-FT |
W632GG6KB-12 TR
Winbond Electronics
W632GG6KB-15
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W632GG6KB-15 TR
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W632GG6KB11I
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W632GG6KB12I
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W632GG6KB12I TR
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W632GG6KB12J
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W632GG6KB15I
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W632GG6KB15I TR
Winbond Electronics
EP2C5T144C7
Intel
XCV600-6FG676C
Xilinx Inc.
EP4CGX110CF23I7N
Intel
10M04SFE144C8G
Intel
EP3SL110F1152I4LN
Intel
A42MX16-FPQ100
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-4FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230DF29C2X
Intel
EPF81500ARC240-3
Intel