casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / BQ4013MA-120
Número de pieza del fabricante | BQ4013MA-120 |
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Número de parte futuro | FT-BQ4013MA-120 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BQ4013MA-120 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | NVSRAM |
Tecnología | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Tamaño de la memoria | 1Mb (128K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 120ns |
Tiempo de acceso | 120ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 4.75V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 32-DIP Module (0.61", 15.49mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 32-DIP Module (18.42x42.8) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BQ4013MA-120 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BQ4013MA-120-FT |
W632GG6KB-11 TR
Winbond Electronics
W632GG6KB-12
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W632GG6KB-12 TR
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W632GG6KB12I TR
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W632GG6KB12J
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AT40K20AL-1BQU
Microchip Technology
A54SX16P-TQG144I
Microsemi Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
A42MX36-BGG272I
Microsemi Corporation
A54SX32A-1TQ176
Microsemi Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMB5R1F40C1N
Intel
10CL010YE144C8G
Intel
XCS30XL-4BG256C
Xilinx Inc.
5CGXFC9A6U19C7N
Intel